BLF6G10LS-200 datasheet
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>> BLF6G10LS-200 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLF6G10LS-200
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
49 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT502B
封装
Tube
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属性
链接
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供应商
公司名
电话
深圳市众芯微电子有限公司
0755-83208010
陈小姐
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129911934(手机优先微信同号)
史仙雁
深圳市硕赢互动信息技术有限公司
13041943973
小徐
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18171547226
郑成静
科创特电子(香港)有限公司
0755-83014603
柯
江苏名佑芯电子科技有限公司
17305201127
任祥建
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