买卖IC网 >> 产品目录 >> BLF6G10LS-200 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BLF6G10LS-200

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
制造商 NXP Semiconductors
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流 49 A
闸/源击穿电压 13 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOT502B
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 BLF6G10LS-200
BLF6G10LS-200,112
BLF6G10LS-200,118
BLF6G10LS-200/T3
BLF6G10LS-200R
BLF6G10LS-200R,112
供应商
公司名
电话
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697 雷春艳
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129911934（手机优先微信同号） 史仙雁
深圳市亚泰盈科电子有限公司 15338868823 郑小姐
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
深圳廊盛科技有限公司 18229386512 李小姐
深圳廊盛科技有限公司 18229386512 李小姐
好货芯城 0755-23947614 连先生
深圳市一线半导体有限公司 0755-83789203 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市德会鑫科技有限公司 18672855211 欧阳
深圳市特瑞斯科技有限公司 0755-82774819 李先生
  • BLF6G10LS-200 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价